Memoria RAM PNY MD8GSD55600-SB 8GB DDR5 5600MHz CL40 Unbuffered Blanca
Sé el primero en opinar- Memoria DDR5 de alta velocidad a 5600 MHz
- Latencia CAS 40 para respuesta rápida
- Formato DIMM unbuffered estándar
- Voltaje eficiente de 1,10 V
- Color blanco para sistemas personalizados
- Garantía de 36 meses y devolución
Mejora el rendimiento de tu PC con la Memoria RAM PNY DDR5 5600MHz, diseñada para ofrecer velocidad y estabilidad en tareas exigentes.
Características Memoria RAM PNY MD8GSD55600-SB 8GB DDR5 5600MHz CL40
La Memoria RAM PNY DDR5 representa un avance significativo en tecnología de memoria para sistemas de alto rendimiento. Con una frecuencia de 5600 MHz y una latencia CAS de 40, este módulo unbuffered ofrece una transferencia de datos rápida y eficiente, ideal para profesionales y entusiastas que trabajan con aplicaciones intensivas como diseño gráfico, edición de vídeo o desarrollo de software.
Su formato DIMM garantiza compatibilidad con la mayoría de placas base modernas, mientras que su bajo voltaje de 1,10 V contribuye a una mejor eficiencia energética y menor generación de calor, prolongando la vida útil del sistema. Además, el módulo está fabricado con chips DDR5 de última generación, asegurando una respuesta ágil y estable incluso bajo cargas de trabajo continuas.
Este módulo de memoria, de color blanco, aporta no solo rendimiento sino también un toque estético para configuraciones con cajas transparentes o sistemas personalizados. La memoria está diseñada para usuarios que buscan maximizar la capacidad y velocidad de su equipo sin comprometer la fiabilidad.
Con una garantía de 36 meses y un periodo de devolución de 30 días, esta memoria ofrece tranquilidad y respaldo para tu inversión. No esperes más para actualizar tu sistema y experimentar una mejora palpable en la velocidad y capacidad de respuesta de tu PC.
Especificaciones Memoria RAM PNY MD8GSD55600-SB 8GB DDR5 5600MHz CL40
| Especificación | Detalle |
|---|---|
| Marca | PNY |
| Modelo | MD8GSD55600-SB |
| Capacidad | 8 GB |
| Tipo de memoria | DDR5 |
| Frecuencia | 5600 MHz |
| Latencia CAS | 40 |
| Formato | DIMM |
| Buffer | Unbuffered |
| Voltaje | 1,10 V |
| Color | Blanco |
| País de origen | Francia |
| Garantía | 36 meses (Bring-In) |
| CO₂-Emisiones | 95,84 kg CO₂ |
| Contribución climática | 2,28 CHF |
FAQs - Memoria RAM PNY MD8GSD55600-SB 8GB DDR5 5600MHz CL40
¿Es compatible esta memoria con cualquier placa base DDR5?
Este módulo está diseñado para placas base compatibles con DDR5 en formato DIMM. Es fundamental verificar que la placa soporte DDR5 y la frecuencia de 5600 MHz para asegurar compatibilidad y rendimiento óptimo.
¿Qué beneficios aporta la latencia CAS 40 en esta memoria?
La latencia CAS 40 indica el tiempo que tarda la memoria en responder a una solicitud. Aunque es un valor estándar para DDR5 a esta frecuencia, garantiza un equilibrio entre velocidad y estabilidad, ideal para cargas de trabajo intensas.
¿Puedo usar este módulo solo o es mejor en kit?
Se puede usar individualmente, pero para aprovechar el doble canal y maximizar el ancho de banda, se recomienda instalar módulos en pares compatibles.
¿Qué ventajas tiene el bajo voltaje de 1,10 V?
Un voltaje reducido disminuye el consumo energético y la generación de calor, lo que mejora la eficiencia y la durabilidad del sistema, especialmente en configuraciones de alto rendimiento.
Es para ti si:
- Buscas mejorar la velocidad y capacidad de tu PC con DDR5.
- Trabajas con aplicaciones exigentes como edición o diseño.
- Quieres un módulo fiable con bajo consumo y buena estabilidad.
No es para ti si:
- Tu placa base no soporta DDR5 o formato DIMM.
- Necesitas kits de memoria con más capacidad o canales múltiples.
- Prefieres memorias con perfiles XMP o AMD EXPO certificados.