Samsung 860 QVO SSD 1TB SATA 3 V-NAND MLC
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Samsung 860 QVO SSD 1TB SATA 3 V-NAND MLC opiniones

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E

ElWillie
13/02/2019

4.9 Stars

Es un buen disco duro de 1 TB que ya empiezan a ponerse a buen precio, a pesar de ser dicos SSD siempre mas caros que los de tecnologia habitual.

Ventajas: Capacidad por fin a un precio aceptable.

Desventajas : No le encuentro ninguno

¿Recomendaría su compra?  Sí

É um bom disco rígido de 1 TB que já está começando a ter um bom preço, apesar de ser sempre mais caro que a tecnologia usual.

Ventajas: Capacidade finalmente a um preço aceitável.

Desventajas : Eu não encontro nenhum

¿Recomendaría su compra?  Sí

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El 860 QVO SSD le brinda gran capacidad de almacenamiento, con un rendimiento y confiabilidad sólidos. Con valor excepcional. Este avance se logró con la última tecnología de flash NAND MLC de 4 bits de Samsung.
Ahora es el momento de actualizar o expandir el SSD rápido que necesita.

Características:

  • Los 4 bits MLC NAND de arquitectura no solo permite más espacio de almacenamiento en una celda, sino también una excelente capacidad en día los usuarios aplicaciones.
  • Samsung establece además, a la tecnología de Intelligent Turbo Write, cargas de trabajo de los usuarios identifi discreto y proporciona un búfer dinámico.

Especificaciones Samsung 860 QVO

  • Peso y dimensiones
    • Ancho: 100 mm
    • Profundidad: 6,8 mm
    • Altura: 69,8 mm
    • Peso: 51 g
  • Control de energía
    • Voltaje de operación: 5 V
    • Consumo de energía (max): 4 W
    • Consumo de energía (promedio): 2,2 W
    • Consumo de energía (espera): 0,03 W
  • Condiciones ambientales
    • Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
    • Golpes en funcionamiento: 1500 G
  • Otras características
    • Color del producto: Plata
  • Características
    • Factor de forma de disco SSD: 2.5"
    • SDD, capacidad: 1000 GB
    • Interfaz: Serial ATA III
    • Tipo de memoria: V-NAND MLC
    • NVMe: No
    • Componente para: Portátil
    • Velocidad de lectura: 550 MB/s
    • Velocidad de escritura: 520 MB/s
    • Tipo de flash NAND: MLC (Multi Level Cell)
    • Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s
    • Lectura aleatoria (4KB): 96000 IOPS
    • Escritura aleatoria (4KB): 89000 IOPS
    • Tipo de controlador: Samsung MJX
    • Soporte S.M.A.R.T.: Si
    • Soporte TRIM: Si
    • ECC: Si
    • Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
    • IEEE 1667: Si
    • Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
    • Función DevSleep: Si
    • Recolección activa de elementos no utilizados: Si
    • TCG Opal 2.0: Si
    • calificación TBW: 1440

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