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Samsung 860 QVO SSD 1TB SATA 3 V-NAND QLC
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Samsung - P/N: MZ-76Q1T0BW | Cod. Artículo: 183113
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Samsung 860 QVO SSD 1TB SATA 3 V-NAND QLC opiniones

Ver más opiniones 12

J

Jose María
05/03/2019

4.77 Stars

Funciona correctamente, fastidia comprar 1 TB y ver 900gb pero ya sabemos como funcionan los bytes! Me gustaría que pusiera 1000gb xD

Ventajas: Calidad Samsung, más económico que el modelo EVO

Desventajas : Tiene mayor desgaste frente a su hermano mayor el EVO.

¿Recomendaría su compra?  Sí

Funciona corretamente, incomoda comprar 1TB e ver 900gb mas já sabemos como funcionam os bytes! Eu gostaria que você colocasse xg 1000gb

Ventajas: Qualidade Samsung, mais barata que o modelo EVO

Desventajas : Tem maior desgaste contra seu irmão mais velho, o EVO.

¿Recomendaría su compra?  Sí

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El 860 QVO SSD le brinda gran capacidad de almacenamiento, con un rendimiento y confiabilidad sólidos. Con valor excepcional. Este avance se logró con la última tecnología de flash NAND QLC de 4 bits de Samsung. Ahora es el momento de actualizar o expandir el SSD rápido que necesita.

Características:

  • Los 4 bits QLC NAND de arquitectura no solo permite más espacio de almacenamiento en una celda, sino también una excelente capacidad en día los usuarios aplicaciones.
  • Samsung establece además, a la tecnología de Intelligent Turbo Write, cargas de trabajo de los usuarios identifi discreto y proporciona un búfer dinámico.

Especificaciones Samsung 860 QVO

  • Peso y dimensiones
    • Ancho: 100 mm
    • Profundidad: 6,8 mm
    • Altura: 69,8 mm
    • Peso: 51 g
  • Control de energía
    • Voltaje de operación: 5 V
    • Consumo de energía (max): 4 W
    • Consumo de energía (promedio): 2,2 W
    • Consumo de energía (espera): 0,03 W
  • Condiciones ambientales
    • Intervalo de temperatura operativa: 0 - 70 °C
    • Golpes en funcionamiento: 1500 G
  • Otras características
    • Color del producto: Plata
  • Características
    • Factor de forma de disco SSD: 2.5"
    • SDD, capacidad: 1000 GB
    • Interfaz: Serial ATA III
    • Tipo de memoria: Samsung V-NAND 4bit QLC
    • NVMe: No
    • Componente para: Portátil
    • Velocidad de lectura: 550 MB/s
    • Velocidad de escritura: 520 MB/s
    • Tipo de flash NAND: QLC
    • Velocidad de transferencia de datos: 6 Gbit/s
    • Lectura aleatoria (4KB): 96000 IOPS
    • Escritura aleatoria (4KB): 89000 IOPS
    • Tipo de controlador: Samsung MJX
    • Soporte S.M.A.R.T.: Si
    • Soporte TRIM: Si
    • ECC: Si
    • Algoritmos de seguridad soportados: 256-bit AES
    • IEEE 1667: Si
    • Tiempo medio entre fallos: 1500000 h
    • Función DevSleep: Si
    • Recolección activa de elementos no utilizados: Si
    • TCG Opal 2.0: Si
    • calificación TBW: 360

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