GoodRam IRDM 512GB SSD M.2 PCIe NVMe Gen3 x4

La unidad de estado sólido GoodRam IRDM recientemente lanzada ofrece un rendimiento varias veces más rápido en relación con SATA III. Esto también significa una velocidad de carga 6 veces mejor y un proceso de escritura más rápido durante la reproducción de tus juegos favoritos.

Al ofrecer una velocidad de lectura de 3200 MB/s con una interfaz PCIe 3 x 4, ofrece un potencial decente relevante para su generación 3.0. La especificación IRDM M.2 permite que el SSD se utilice como una alternativa a los productos de interfaz 4.0, cuyo rendimiento debe satisfacer las más altas exigencias, pero siguen siendo muy costosos para muchos usuarios.

Especificaciones GoodRam IRDM

• Capacidad: 512 GB
• Interfaz: M.2 PCIe NVMe gen 3 x4 (tecla M)
• Factor de forma: M.2 2280
• Flash NAND: TLC 3D
• Controlador: Phison E12 con tampón dram
• MTBF: 1800 000 horas
• Velocidad de lectura de datos (máx.): 3200 MB/s
• Velocidad de escritura de datos (máx.) 2000 MB/s
• Operaciones de lectura aleatorias por segundo (archivos 4K): 295.000 IOPS
• Operaciones de escritura aleatorias por segundo (archivos 4K): 500.000 IOPS
• Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 °C
• Temperatura de almacenamiento: -45 - 85 °C
• Garantía de 5 años limitada por el parámetro TBW* y soporte técnico gratuito.
  * Limitado por TBW (Total Bytes Written): después de alcanzar el parámetro TBW o después de 5 años, el producto ya no está cubierto por la garantía.

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