GoodRam PX500 G2 SSD 256GB M.2 PCIe NVMe Gen 3 x4

Al proporcionar un rendimiento de transferencia aleatoria y secuencial hasta 4 veces mejor en comparación con las unidades de estado sólido SATA III y una latencia más baja que las unidades AHCI, GOODRAM PX500 Gen.2 mejora su PC. El rendimiento mejorará el trabajo de los clientes más exigentes, ofreciendo una lectura de hasta 1850 MB/s. También es perfecto como unidad independiente, así como complemento de un disco duro en ordenadores de escritorio y portátiles. Las capacidades disponibles para el PX500 Gen.2 hacen que la unidad funcione en ambos roles.

Alto rendimiento

Al crear un disco basado en memoria eficiente en tecnología 3D NAND, logramos alcanzar parámetros de transferencia secuencial de hasta 1850 MB/s para lectura y 950 MB/s para escritura en el modelo de 256 GB.

Nuevas posibilidades con NVMe

El protocolo de comunicación NVM Express fue diseñado desde cero para lograr el potencial de los medios de almacenamiento rápidos basados ??en flash. Al utilizarlo en SSD PX500 Gen.2, pudimos extraer el máximo rendimiento de su memoria, controlador e interfaz PCIe Gen 3 x4. NVMe reduce drásticamente la latencia y las colas para brindar una capacidad de respuesta mucho mejor en comparación con SSD basado en AHCI.

Calor bajo control

Uno de los problemas que concierne al formato SSD M.2 es el estrangulamiento térmico: limitación de la eficiencia debido a una temperatura ambiente demasiado alta. Para tenerlo bajo control, PX500 gen.2 tiene un revestimiento especial que consta de cobre y grafito. Gracias a ello hemos obtenido muy buena disipación del calor, sin aumentar el tamaño del disco.

Características

• Interfaz PCIe Gen 3 x4 de alta velocidad
• Compatibilidad con NVMe 1.3
• Tecnología flash 3D NAND
• Almohadilla térmica disipadora de calor
• Garantía de 3 años limitada por el parámetro TBW y soporte técnico gratuito

Especificaciones GoodRam PX500 G2

• Capacidad: 256 GB
• Interfaz: M.2 PCIe NVMe Gen 3 x4 (Key M)
• Factor de forma: M.2 tamaño 2280
• Chips de memoria: Flash NAND 3D
• Rendimiento de lectura secuencial (máx.): 1.850 MB/s*
• Rendimiento de escritura secuencial (máx.): 950 MB/s*
• ATC (TB): 170**
• MTBF: 2 000 000 horas
• Temperatura de almacenamiento: 0 - 70 ºC
• Dimensiones: -45 - 85 ºC
• Dimensiones: 80 x 22 x 3,5 mm
  * Basado en pruebas realizadas en Crystal Disk Mark 6.0.0 en SSD en estado FOB (recién salido de la caja). Los resultados reales pueden variar según la configuración de su sistema o el uso de SSD.
  ** El período de garantía finaliza en la fecha en que la SSD ha excedido su TBW.