Disco Duro GoodRam PX500 Gen.2 SSD 512GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4

Al proporcionar un rendimiento de transferencia aleatoria y secuencial hasta 4 veces mejor en comparación con las unidades de estado sólido SATA III y una latencia más baja que las unidades AHCI, GOODRAM PX500 Gen.2 mejora su PC.

El rendimiento mejorará el trabajo de los clientes más exigentes, ofreciendo una lectura de hasta 2050 MB/s. También es perfecto como unidad independiente, así como complemento de un disco duro en computadoras de escritorio y portátiles.

Las capacidades disponibles para el PX500 Gen.2 hacen que la unidad funcione en ambos roles.

Características

• Alto rendimiento Al crear un disco basado en memoria eficiente en tecnología 3D NAND, logramos alcanzar parámetros de transferencia secuencial de hasta 2050 MB/s para lectura y 1650 MB/s para escritura.
• Nuevas posibilidades con NVMe El protocolo de comunicación NVM Express fue diseñado desde cero para lograr el potencial de los medios de almacenamiento rápidos basados ??en flash. Al utilizarlo en SSD PX500 Gen.2, pudimos extraer el máximo rendimiento de su memoria, controlador e interfaz PCIe Gen 3 x4. NVMe reduce drásticamente la latencia y las colas para brindar una capacidad de respuesta mucho mejor en comparación con SSD basado en AHCI.
• Calor bajo control Uno de los problemas que concierne al formato SSD M.2 es el estrangulamiento térmico: limitación de la eficiencia debido a una temperatura ambiente demasiado alta. Para tenerlo bajo control, PX500 Gen.2 tiene un revestimiento especial que consta de cobre y grafito. Gracias a ello hemos obtenido muy buena disipación del calor, sin aumentar el tamaño del disco.
• 3 años de garantía y resistencia GOODRAM PX500 Gen.2 está disponible en capacidades de 256, 512 GB y 1 TB. Todos los tamaños están disponibles en formato M.2 2280, con colocación de elementos unilateral. Como el resto de los SSD de Goodram, el PX500Gen.2 viene con una garantía de 3 años.

Especificaciones

• Interfaz M.2 PCIe NVMe gen 3 x4 (tecla M)
  
• Factor de forma M.2 tamaño 2280
  
• Chips de memoria Flash NAND 3D
• Rendimiento de lectura secuencial 2 000 MB/s
• Rendimiento de escritura secuencial 1 600 MB/s
  
• MTBF 2 000 000 horas
  
• Temperatura de almacenamiento 0 - 70°C
  
• Dimensiones 80x22x3,5mm